Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STF130N10F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STF130N10F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STF130N10F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STF130N10F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STF130N10F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STF130N10F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STF130N10F3 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 100V 120A aan-220FP Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: STripFET™ III

STF130N10F3 specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 100V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 46A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 57nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 3305pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 35W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 9.6 mOhm @ 23A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220FP
Pakket/Geval Aan-220-3 volledig Pak
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STF130N10F3 verpakking

Opsporing

STF130N10F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STF130N10F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STF130N10F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STF130N10F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)