Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STD8NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STD8NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STD8NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STD8NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STD8NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STD8NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STD8NM60ND Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 7A DPAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: FDmesh™ II

STD8NM60ND specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 7A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 22nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 560pF @ 50V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 70W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 700 mOhm @ 3.5A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D-Pak
Pakket/Geval Aan-252-3, DPak (2 Lood + Lusje), Sc-63
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STD8NM60ND verpakking

Opsporing

STD8NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STD8NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STD8NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STD8NM60ND gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)