Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STU12N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STU12N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STU12N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STU12N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STU12N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STU12N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STU12N65M5 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 8.5A IPAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ V

STU12N65M5 specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 8.5A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 22nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 900pF @ 100V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 70W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 430 mOhm @ 4.3A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I-Pak
Pakket/Geval Aan-251-3 korte Lood, IPak, aan-251AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STU12N65M5 verpakking

Opsporing

STU12N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STU12N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STU12N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STU12N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)