Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IRFU9014PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IRFU9014PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IRFU9014PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IRFU9014PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IRFU9014PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IRFU9014PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IRFU9014PBF Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET p-CH 60V 5.1A I-PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

IRFU9014PBF specificaties

Deelstatus Actief
FET Type P-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 60V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 5.1A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 270pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 500 mOhm @ 3.1A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-251AA
Pakket/Geval Aan-251-3 korte Lood, IPak, aan-251AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IRFU9014PBF verpakking

Opsporing

IRFU9014PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IRFU9014PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IRFU9014PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IRFU9014PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)