Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

SIHD12N50E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

SIHD12N50E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

SIHD12N50E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
SIHD12N50E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  SIHD12N50E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

SIHD12N50E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: SIHD12N50E-GE3 Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET N-CHAN 500V DPAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: E

SIHD12N50E-GE3 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 550V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 10.5A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 50nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 886pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±30V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 114W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (Ta)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D-PAK (AAN-252AA)
Pakket/Geval Aan-252-3, DPak (2 Lood + Lusje), Sc-63
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

SIHD12N50E-GE3 verpakking

Opsporing

SIHD12N50E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0SIHD12N50E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1SIHD12N50E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2SIHD12N50E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)