Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IPS65R1K4C6AKMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IPS65R1K4C6AKMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IPS65R1K4C6AKMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IPS65R1K4C6AKMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IPS65R1K4C6AKMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IPS65R1K4C6AKMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IPS65R1K4C6AKMA1 Fabrikant: Infineon Technologies
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 3.2A aan-251 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: CoolMOS™

IPS65R1K4C6AKMA1 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 3.2A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 3.5V @ 100µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 225pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 28W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 1,4 Ohm @ 1A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Pg-to251-3
Pakket/Geval Aan-251-3 Stub Leads, IPak
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IPS65R1K4C6AKMA1 verpakking

Opsporing

IPS65R1K4C6AKMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IPS65R1K4C6AKMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IPS65R1K4C6AKMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IPS65R1K4C6AKMA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)