Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

Si7102dn-t1-E3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

Si7102dn-t1-E3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Si7102dn-t1-E3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
Si7102dn-t1-E3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  Si7102dn-t1-E3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

Si7102dn-t1-E3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: Si7102dn-t1-E3 Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET n-CH 12V 35A PPAK 1212-8 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: TrenchFET®

Si7102dn-t1-E3 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 12V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 35A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 1V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 110nC @ 8V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 3720pF @ 6V
(Maximum) Vgs ±8V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Werkende Temperatuur -50°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat PowerPAK® 1212-8
Pakket/Geval PowerPAK® 1212-8
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

Si7102dn-t1-E3 Verpakking

Opsporing

Si7102dn-t1-E3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0Si7102dn-t1-E3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1Si7102dn-t1-E3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2Si7102dn-t1-E3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)