Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

PHB27NQ10T, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

PHB27NQ10T, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PHB27NQ10T, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
PHB27NQ10T, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  PHB27NQ10T, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

PHB27NQ10T, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: PHB27NQ10T, 118 Fabrikant: Inc. van de Nexperiav.s.
Beschrijving: MOSFET n-CH 100V 28A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: TrenchMOS™

PHB27NQ10T, 118 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 100V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 28A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1240pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 107W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 50 mOhm @ 14A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

PHB27NQ10T, 118 die verpakken

Opsporing

PHB27NQ10T, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0PHB27NQ10T, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1PHB27NQ10T, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2PHB27NQ10T, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)