Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

Sihj6n65e-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

Sihj6n65e-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Sihj6n65e-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
Sihj6n65e-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  Sihj6n65e-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

Sihj6n65e-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: Sihj6n65e-t1-GE3 Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET N-CH 650V POWERPAK ZO-8L Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

Sihj6n65e-t1-GE3 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 5.6A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 32nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 596pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±30V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 74W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 868 mOhm @ 3A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat PowerPAK® zo-8
Pakket/Geval PowerPAK® zo-8
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

Sihj6n65e-t1-GE3 Verpakking

Opsporing

Sihj6n65e-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0Sihj6n65e-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1Sihj6n65e-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2Sihj6n65e-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)