Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

RW1E014SNT2R gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

RW1E014SNT2R gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

RW1E014SNT2R gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
RW1E014SNT2R gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  RW1E014SNT2R gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

RW1E014SNT2R gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: RW1E014SNT2R Fabrikant: Rohmhalfgeleider
Beschrijving: MOSFET n-CH 30V 1.4A WEMT6 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

RW1E014SNT2R specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 30V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 1.4A (Ta)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 2.5V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 1.4nC @ 5V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 70pF @ 10V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 700mW (Ta)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 240 mOhm @ 1.4A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat 6-WEMT
Pakket/Geval DRONKAARD-563, DRONKAARD-666
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

RW1E014SNT2R verpakking

Opsporing

RW1E014SNT2R gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0RW1E014SNT2R gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1RW1E014SNT2R gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2RW1E014SNT2R gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)