logo
Bericht versturen
Thuis > producten > IGBT-voedingsmodule > Van de de Machtsmodule van STGD4M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTs

Van de de Machtsmodule van STGD4M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTs

Categorie:
IGBT-voedingsmodule
Prijs:
onderhandelbaar
Betalingswijze:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificaties
Artikelnummer:
STGD4M65DF2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Beschrijving:
HET GEBIED-EINDE IGBT, M S VAN DE GEULpoort
Categorie:
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Familie:
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Reeks:
M
Inleiding

STGD4M65DF2 specificaties

Deelstatus Actief
IGBT-Type Het Einde van het geulgebied
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender 650V
Huidig - Collector ((Maximum) Ic) 8A
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm) 16A
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Maximum macht - 68W
Omschakelingsenergie 40µJ (), 136µJ (weg)
Inputtype Norm
Poortlast 15.2nC
(On/off) Td @ 25°C 12ns/86ns
Beproevingsomstandigheid 400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Omgekeerde Terugwinningstijd (trr) 133ns
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Pakket/Geval Aan-252-3, DPak (2 Lood + Lusje), Sc-63
Het Pakket van het leveranciersapparaat DPAK
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STGD4M65DF2 verpakking

Opsporing

Van de de Machtsmodule van STGD4M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van STGD4M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van STGD4M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van STGD4M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTs

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable