Bericht versturen
Thuis > producten > IGBT-voedingsmodule > Van de de Machtsmodule van STGW10M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTs

Van de de Machtsmodule van STGW10M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTs

Categorie:
IGBT-voedingsmodule
Prijs:
Negotiable
Betalingswijze:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificaties
Artikelnummer:
STGW10M65DF2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Beschrijving:
HET GEBIED-EINDE IGBT M VAN DE GEULpoort SE
Categorie:
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Familie:
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Reeks:
M
Inleiding

STGW10M65DF2 specificaties

Deelstatus Actief
IGBT-Type Het Einde van het geulgebied
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender 650V
Huidig - Collector ((Maximum) Ic) 20A
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm) 40A
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A
Maximum macht - 115W
Omschakelingsenergie 120µJ (), 270µJ (weg)
Inputtype Norm
Poortlast 28nC
(On/off) Td @ 25°C 19ns/91ns
Beproevingsomstandigheid 400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Omgekeerde Terugwinningstijd (trr) 96ns
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Pakket/Geval Aan-247-3
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-247
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STGW10M65DF2 verpakking

Opsporing

Van de de Machtsmodule van STGW10M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van STGW10M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van STGW10M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van STGW10M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTs

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable