Bericht versturen
Thuis > producten > IGBT-voedingsmodule > Van de de Machtsmodule van STGD6M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTs

Van de de Machtsmodule van STGD6M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTs

Categorie:
IGBT-voedingsmodule
Prijs:
Negotiable
Betalingswijze:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificaties
Artikelnummer:
STGD6M65DF2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Beschrijving:
HET GEBIED-EINDE IGBT, M S VAN DE GEULpoort
Categorie:
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Familie:
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Reeks:
M
Inleiding

STGD6M65DF2 specificaties

Deelstatus Actief
IGBT-Type Het Einde van het geulgebied
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender 650V
Huidig - Collector ((Maximum) Ic) 12A
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm) 24A
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
Maximum macht - 88W
Omschakelingsenergie 36µJ (), 200µJ (weg)
Inputtype Norm
Poortlast 21.2nC
(On/off) Td @ 25°C 15ns/90ns
Beproevingsomstandigheid 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Omgekeerde Terugwinningstijd (trr) 140ns
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Pakket/Geval Aan-252-3, DPak (2 Lood + Lusje), Sc-63
Het Pakket van het leveranciersapparaat DPAK
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STGD6M65DF2 verpakking

Opsporing

Van de de Machtsmodule van STGD6M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van STGD6M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van STGD6M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van STGD6M65DF2 IGBT de Transistors Enige IGBTs

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable