Bericht versturen
Thuis > producten > IGBT-voedingsmodule > Van de de Machtsmodule van HGT1S12N60A4S9A IGBT de Transistors Enige IGBTs

Van de de Machtsmodule van HGT1S12N60A4S9A IGBT de Transistors Enige IGBTs

Categorie:
IGBT-voedingsmodule
Prijs:
Negotiable
Betalingswijze:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificaties
Artikelnummer:
HGT1S12N60A4S9A
Fabrikant:
Fairchild/ON Halfgeleider
Beschrijving:
IGBT 600V 54A 167W TO263AB
Categorie:
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Familie:
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Inleiding

HGT1S12N60A4S9A specificaties

Deelstatus Verouderd
IGBT-Type -
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender 600V
Huidig - Collector ((Maximum) Ic) 54A
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm) 96A
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Maximum macht - 167W
Omschakelingsenergie 55µJ (), 50µJ (weg)
Inputtype Norm
Poortlast 78nC
(On/off) Td @ 25°C 17ns/96ns
Beproevingsomstandigheid 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Omgekeerde Terugwinningstijd (trr) -
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

HGT1S12N60A4S9A verpakking

Opsporing

Van de de Machtsmodule van HGT1S12N60A4S9A IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van HGT1S12N60A4S9A IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van HGT1S12N60A4S9A IGBT de Transistors Enige IGBTsVan de de Machtsmodule van HGT1S12N60A4S9A IGBT de Transistors Enige IGBTs

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable