Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

PMGD290XN, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series

Ik ben online Chatten Nu

PMGD290XN, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series

PMGD290XN, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series
PMGD290XN, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series

Grote Afbeelding :  PMGD290XN, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

PMGD290XN, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series

beschrijving
Artikelnummer: PMGD290XN, 115 Fabrikant: Inc. van de Nexperiav.s.
Beschrijving: MOSFET 2n-CH 20V 0.86A 6TSSOP Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Series
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - Series Reeks: TrenchMOS™

PMGD290XN, 115 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type 2 (Dubbel) N-Channel
FET Eigenschap De Poort van het logicaniveau
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 20V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 860mA
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 1.5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 0.72nC @ 4.5V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 34pF @ 20V
Maximum macht - 410mW
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Pakket/Geval 6-TSSOP, SC-88, DRONKAARD-363
Het Pakket van het leveranciersapparaat 6-TSSOP
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

PMGD290XN, 115 die verpakken

Opsporing

PMGD290XN, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series 0PMGD290XN, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series 1PMGD290XN, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series 2PMGD290XN, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)