Bericht versturen
Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Alle producten

IC's voor geïntegreerde schakelingen

(7037)

Geheugen IC-chip

(2998)

Analoge Isolator IC

(2527)

Microcontrollers en Ingebedde Bewerkers

(5000)

Veldeffecttransistor

(1833)

IGBT-voedingsmodule

(1002)

Diodetriode

(303)

Algemeen Doelcondensator

(41)

Connectors Interconnects

(83)

SMD-Machtsinductor

(100)

Relaiscomponent

(203)

De Zekeringen van de kringsbescherming

(195)
Ik ben online Chatten Nu

BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays
BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Grote Afbeelding :  BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000
Contact

BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

beschrijving
Artikelnummer: BSM180D12P2C101 Fabrikant: Rohmhalfgeleider
Beschrijving: MOSFET 2n-CH 1200V 180A MODULE Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Series
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - Series

BSM180D12P2C101 Specifications

Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 10V
Power - Max 1130W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type -
Package / Case Module
Supplier Device Package Module
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

BSM180D12P2C101 Packaging

Detection

BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 0BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 1BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 2BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 3

label:

FET Gebiedseffect Transistor,

Machtsmosfet Transistor,

Mosfet het Effect van het Spaander75vpower Gebied Transistor

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

IC's voor geïntegreerde schakelingen

Van de cipreshalfgeleider ICS USB de Monolithische Kring Van geïntegreerde schakelingen 48TQFP CY7C65632-48AXC

Van het batterijbeheer de Spaander van de de Brandstofmaat ICS Ti van Van geïntegreerde schakelingen BQ20Z65DBTR-R1

De Controlemechanismenbestuurders IRL IR2110STRPBF van SMD/SMT-ICs Ontsteking van de Van geïntegreerde schakelingen

STM32F405RGT6 Microcontrollers en Ingebedde Bewerkersmcu St 1024 FLITS

STM32F407VET6 geïntegreerde schakelingen ICs

MCU Ingebedde Bewerkers & Controlemechanismen STM32F103RCT6

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit IC's voor geïntegreerde schakelingen Leverancier. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.